功率单元内IGBT的过流保护

我太难了 · 2019-12-2 19:45:27

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功率单元内IGBT实现过流保护的主要功能器件是339J芯片，安置在控制板上驱动信号上方，其端子功能如下：

控制过程如下：

首先施加在二极管阴阳极的阶梯波控制IGBT的正常开关，也就是当IF为on的时候，IGBT门极输出应该为高电平，IF为off的时候，IGBT门极输出应该低电平。
而desat和Ve采集到的就是IGBT发射极和集电极的电压，当电压正常时，VGMOS输出电平为Vee低电平，当电压超出预定值时，VGMOS输出电平为Vcc高电平。
当正常运行时，当IF为on时，也就是1之前，Voutp输出低电平，Voutn输出低电平，VGMOS输出低电平，此时由于MP1为P沟道MOS管，而MN1和MN2为N沟道MOS管，因此，此时IGBT门极Q1电平为高，此时IGBT导通。

而一但电压超出预定值，也就是1时刻，经过t1的延时后，Voutp输出高电平，Voutn输出低电平，VGMOS输出高电平，此时MP1和MN1全都关闭，而MN2导通，IGBT门极Q1由于和Vee构成回路因此电平被拉低，此时IGBT关断。并且在t3延时后会在FAULT输出一个故障信号。

当电压恢复后，也就是2时刻，VGMOS会在1ms静音时间超时或者IF为off时（两者的较晚者为准）后自动复位为低电平，然后在经过t4延时后的3时刻，由于此时IF为off，所以Voutp输出高电平，Voutn输出高电平，此时MP1和MN2关闭，MN1导通，IGBT门极Q1依旧被拉低，IGBT依旧关断。

直到IF再次为on时，恢复之前的状态，Voutp输出低电平，Voutn输出低电平，VGMOS输出低电平，此时由于MP1为P沟道MOS管，而MN1和MN2为N沟道MOS管，因此，此时IGBT门极Q1电平为高，此时IGBT导通。

苏州湾废柴 · 2019-12-6 09:50:32

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[HD9X] 功率单元内IGBT的过流保护

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