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描述 MS5510 是 8 比特，20MSPS 模数转换器（ADCs）,同时使用一个半闪速结构。MS5510在 5V 的电源电压下工作，其典型功耗只有 130mW，包括一个内部的采样保持电路，具有高阻抗方式的并行输出口以及内部基准电阻。 与闪速转换器（flash converters）相比，半闪速结构减少了功耗和晶片尺寸。通过在 2步过程（2-step process）中实现转换，可以大大减少比较器的数目。转换数据等待时间为 2.5个时钟。 MS5510 有两种工作模式。模式一使用 3 个内部基准电阻连接 VDDA 可产生标准的 2V 满度转换范围。为了实现此选项仅需外部跳线器。模式二通过内部电阻区产生标准的 4V 满度转换范围。这减少了对外部基准或电阻器的需求。差分线性度在 25℃温度下为 0.5LSB，在整个工作温度范围内的最大值是 0.75LSB。用差分增益 1%和差分相位为 0.7%可以规定动态特性范围。 MS5510 的工作温度-45℃至 85℃。 特点 模拟信号输入范围： -模式一…2V MAX -模式二…4V MAX 8 比特分辨率 积分线性误差 ±0.75 LSB（25℃） ±1 LSB（-20℃-75℃） 微分线性误差 ±0.5 LSB（25°C） ±0.75 LSB（-20℃-75℃） 最快转换频率 20MSPS 5V 单电源工作 低功耗 模式一…127.5mW 模式二…150mW 应用 数字电视 多媒体图像处理 视频会议 高速数据转换 正交调制解调器 MS5510完美替代TLC5510 管脚图 
管脚说明图
结构框图 
工作原理 MS5510 是具有两个低位比较器块的半闪速（semiflash）ADC（每四位一个比较器）。如图 3 所示，输入电压 VI(1)在 CLK1 的下降沿采样入高位比较器块和低位比较器块(A），S(I)。高位比较器块在 CLK2 上升沿确定高位数据 UD(1)，同时，低基准电压（lower referencevoltage）产生与高位数据相对应的电压 RV(1)。低位比较器块(A)在 CLK3 上升沿确定低位数据 LD(1)。VD(1)和 LD(1)在 CLK4 的上升沿组合在一起并输出为 OUT(1)。根据上面所述的内部操作，输出数据滞后模拟输入电压采样点 2.5 个时钟。输入电压 VI(2)在 CLK2 下降沿被采样，UD(2)在 CLK3 的上升沿最后确定，LD(2)在 CLK4 的上升沿被低位比较器块(B)最后确定。OUT(2)在 CLK5 上升沿输出。 
内部基准 工作模式一 MS5510 具有三个内部电阻以便能产生内部基准电压。这些电阻连接到 VDDA，REFTS，REFT，REFB，REFBS 以及 AGND。要使用内部产生的基准电压，应当如图 4 所示那样进行连接。这种连接提供用于额定数字输出的标准视频 2V 基准。 工作模式二 模拟输入电压范围为 4V，REFT 接 4V 电压，REFB 接地，其它端口如图所示连接。这种连接通过输入一个 0 到 4V 的 ANALOG IN 信号来提供数字输出。
应用资料 以下注记是应当与 MS5510 一起使用的设计推荐项。 � 为了减少系统噪声，外部模拟和数字电路应当实际上分离开来并尽可能屏蔽。 � 在整个评估和生产过程中应当使用射频 （RF）试验板或印制电路板 （PCB）技术。 用于测试评估（bench evaluation）的试验板应当镀铜。 � 因为 AGND 和 DGND 在内部未连接，所以这些引脚需要在外部连接。采用试验板时，这些地线应当通过具有良好电源旁路的单独引线连接。为了使拾取的噪声为最小，最好把隔开的双铰线电缆（separate twisted-pair cabels）用于电源线。在印制电路板布局上应用使用模拟和数字地平面。 � VDD 至 AGND 和 VDDD 至 DGND 应当分别用 1μF 电容器去耦，去耦电容应当尽可能靠近它所影响的器件引脚处。对 0.01μF 电容，推荐使用陶瓷芯片电容器。对模拟和数字地，为了确保无固态噪声（solid noise-free）的接地连接，试验时应当小心。 � VDD，AGND 以及 ANALOG IN 引脚应当与高频引脚 CLK 和 D0-D7 隔离开来。当可能时，在印制电路板上 AGND 走线应当放在 ANALOG IN 走线的两侧以供屏蔽之用。 � 在测试与使用器件时，在感兴趣的频率范围内连接到模拟输入端的驱动源电阻应当是10Ω或更小的数值。
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